Transistörler - IGBT - Tekil
RGTH60TK65DGC11
IGBT
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RGTH60TK65DGC
RGTH60TK65DGC11 Hakkında
RGTH60TK65DGC11, ROHM Semiconductor tarafından üretilen Trench Field Stop IGBT transistördür. 650V collector-emitter breakdown voltajı ve 28A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. TO-3PFM paketinde sunulan bu bileşen, 61W maksimum güç yeteneğine sahiptir. 58nC gate charge ve 27/105ns on/off gecikmesi ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir. -40°C ile 175°C arasında çalışabilen bu IGBT, motor kontrol, güç kaynakları, invertör ve kaynak makinaları gibi elektrik motor sürücü ve güç dönüştürme uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 28 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 120 A |
| Gate Charge | 58 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3PFM, SC-93-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 61 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 58 ns |
| Supplier Device Package | TO-3PFM |
| Td (on/off) @ 25°C | 27ns/105ns |
| Test Condition | 400V, 30A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 30A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok