Transistörler - IGBT - Tekil
RGTH50TS65GC13
HIGH-SPEED SWITCHING TYPE, 650V
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RGTH50TS65GC
RGTH50TS65GC13 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen RGTH50TS65GC13, 650V kollektör-emitter yıkılma gerilimi ile tasarlanmış Trench Field Stop tipi IGBT transistördür. 50A maksimum kollektör akımı ve 100A pulslu akım kapasitesi ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. 27ns açılış ve 94ns kapanış süreleri ile yüksek hızlı anahtarlama performansı sağlar. 49 nC gate charge ile düşük sürüş gücü gerektirir. 2.1V maksimum Vce(on) değeri ile enerji kaybını minimize eder. -40°C ile +175°C arasında çalışabilir ve 174W maksimum güç dissipasyonuna sahiptir. TO-247-3 paketinde sunulmuş olup, endüstriyel motor kontrol, güç kaynakları, invertörler ve diğer anahtarlamalı güç elektronik devreleri için uygun bir çözümdür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 100 A |
| Gate Charge | 49 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 174 W |
| Supplier Device Package | TO-247G |
| Td (on/off) @ 25°C | 27ns/94ns |
| Test Condition | 400V, 25A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 25A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok