Transistörler - IGBT - Tekil

RGTH50TS65GC11

IGBT 650V 50A 174W TO-247N

Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
RGTH50TS65GC

RGTH50TS65GC11 Hakkında

ROHM Semiconductor tarafından üretilen RGTH50TS65GC11, 650V voltaj sınıfında çalışan bir Trench Field Stop IGBT transistörüdür. 50A sürekli kolektör akımı ve 100A darbe akımı kapasitesi ile enerji dönüştürme uygulamalarında kullanılmaya uygundur. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel invertörler, UPS sistemleri, kaynak makineleri ve motor sürücülerinde yaygın olarak tercih edilir. 174W maksimum güç tüketimi ile tasarlanan IGBT, 2.1V VCE(on) değeri sayesinde düşük enerji kaybı sağlar. -40°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, güvenilir ve uzun ömürlü performans sunmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 50 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 100 A
Gate Charge 49 nC
IGBT Type Trench Field Stop
Input Type Standard
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Active
Power - Max 174 W
Supplier Device Package TO-247N
Td (on/off) @ 25°C 27ns/94ns
Test Condition 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 25A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok