Transistörler - IGBT - Tekil
RGTH50TS65DGC11
IGBT 650V 50A 174W TO-247N
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RGTH50TS65DGC11
RGTH50TS65DGC11 Hakkında
RGTH50TS65DGC11, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 650V Trench Field Stop IGBT transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu komponent, maksimum 50A sürekli akım ve 100A pulslu akım kapasitesine sahiptir. Vce(on) değeri 15V gate voltajında 25A akımda 2.1V olarak belirtilmiştir. 174W maksimum güç disipasyonu ile endüstriyel güç dönüştürme uygulamalarında, inverter devrelerinde, motor kontrol sistemlerinde ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. -40°C ile 175°C arasında çalışabilen bu IGBT, 49nC gate charge ve 58ns reverse recovery time özellikleriyle düşük komütasyon kaybı sağlar. Thru-hole montaj tipi ile PCB'ye doğrudan monte edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 100 A |
| Gate Charge | 49 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 174 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 58 ns |
| Supplier Device Package | TO-247N |
| Td (on/off) @ 25°C | 27ns/94ns |
| Test Condition | 400V, 25A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 25A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok