Transistörler - IGBT - Tekil

RGTH50TK65GC11

IGBT

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
RGTH50TK65GC

RGTH50TK65GC11 Hakkında

ROHM Semiconductor tarafından üretilen RGTH50TK65GC11, 650V Trench Field Stop IGBT transistörüdür. 26A sürekli kolektör akımı ve 100A pulslu akım kapasitesi ile tasarlanmıştır. 2.1V Vce(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-3PFM paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel uygulamalar, motor sürücüler, güç elektroniği devreleri ve konverter sistemlerinde kullanılır. -40°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığına sahip olup, 59W maksimum güç dağılımı kapasitesiyle orta güç uygulamaları için uygundur. 27ns açılış ve 94ns kapanış süresi hızlı anahtarlama yapılması gereken devrelerde tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 26 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 100 A
Gate Charge 49 nC
IGBT Type Trench Field Stop
Input Type Standard
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-3PFM, SC-93-3
Part Status Active
Power - Max 59 W
Supplier Device Package TO-3PFM
Td (on/off) @ 25°C 27ns/94ns
Test Condition 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 25A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok