Transistörler - IGBT - Tekil
RGTH50TK65DGC11
IGBT
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RGTH50TK65DGC
RGTH50TK65DGC11 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen RGTH50TK65DGC11, 650V Trench Field Stop tipi IGBT transistördür. 26A sürekli collector akımı ve 100A pulslu akım kapasitesiyle tasarlanmıştır. TO-3PFM paketinde sunulan bu bileşen, 59W maksimum güç yönetiminde ve -40°C ile 175°C arasındaki geniş sıcaklık aralığında çalışmaya uygundur. 49nC gate charge ve 58ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama özelliği sunmaktadır. İnverterler, motor sürücüleri, güç kaynakları ve endüstriyel uygulamalar için kullanılır. 2.1V Vce(on) düşük gerilim kaybı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 26 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 100 A |
| Gate Charge | 49 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3PFM, SC-93-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 59 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 58 ns |
| Supplier Device Package | TO-3PFM |
| Td (on/off) @ 25°C | 27ns/94ns |
| Test Condition | 400V, 25A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 25A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok