Transistörler - IGBT - Tekil
RGTH00TS65GC11
IGBT 650V 85A 277W TO-247N
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RGTH00TS65GC
RGTH00TS65GC11 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen RGTH00TS65GC11, 650V kollektör-emiter geriliminde çalışabilen yüksek akım IGBT transistörüdür. Trench Field Stop teknolojisi ile tasarlanan bu bileşen, maksimum 85A sürekli akım ve 200A darbe akımı kapasitesine sahiptir. 277W güç yayılımı kabiliyeti ile endüstriyel uygulamalara uygundur. TO-247-3 paket tipi ile montajı kolaydır. -40°C ile 175°C çalışma sıcaklık aralığında stabil performans gösterir. Anahtarlama hızları Td(on) 39ns ve Td(off) 143ns'dir. 2.1V Vce(on) değeri ile az güç kaybı sağlayan bu IGBT, güç elektronikleri, inverter devreleri, motor sürücüleri ve elektrik traction uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 85 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 200 A |
| Gate Charge | 94 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 277 W |
| Supplier Device Package | TO-247N |
| Td (on/off) @ 25°C | 39ns/143ns |
| Test Condition | 400V, 50A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 50A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok