Transistörler - IGBT - Tekil
RGTH00TS65DGC13
HIGH-SPEED SWITCHING TYPE, 650V
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RGTH00TS65DGC
RGTH00TS65DGC13 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen RGTH00TS65DGC13, 650V voltaj sınıfında yüksek hızlı anahtarlama özellikli bir IGBT transistördür. Trench Field Stop teknolojisi ile tasarlanan bu bileşen, maksimum 85A kollektör akımı ve 200A darbe akımı kapasitesi sunar. 277W güç disipasyon yetenekleri ile endüstriyel uygulamalarda, motor kontrol sürücülerinde, kaynak makinelerinde ve güç elektronik devrelerinde kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan transistör, -40°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında kararlı performans gösterir. 54ns ters kurtarma süresi ve 39ns/143ns açılma/kapanma gecikmesi ile hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 85 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 200 A |
| Gate Charge | 94 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 277 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 54 ns |
| Supplier Device Package | TO-247G |
| Td (on/off) @ 25°C | 39ns/143ns |
| Test Condition | 400V, 50A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 50A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok