Transistörler - IGBT - Tekil
RGTH00TS65DGC11
IGBT 650V 85A 277W TO-247N
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RGTH00TS65DGC11
RGTH00TS65DGC11 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen RGTH00TS65DGC11, 650V kollektör-emiter breakdown voltajı ve 85A maksimum kollektör akımı ile tasarlanmış bir Trench Field Stop IGBT transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu komponent, 277W maksimum güç sınırlandırması ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. Gate charge değeri 94 nC olan bu transistör, 2.1V Vce(on) değeri ile verimli iletim sağlar. 54ns reverse recovery time ve 39/143ns açılma/kapanma süreleri ile hızlı anahtarlama özellikleri barındırır. -40°C ile 175°C işletme sıcaklık aralığında çalışabilen bu komponent, endüstriyel güç dönüştürme, motor kontrol ve enerji dönüştürme uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 85 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 200 A |
| Gate Charge | 94 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 277 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 54 ns |
| Supplier Device Package | TO-247N |
| Td (on/off) @ 25°C | 39ns/143ns |
| Test Condition | 400V, 50A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 50A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok