Transistörler - IGBT - Tekil

RGTH00TK65GC11

IGBT

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
RGTH00TK65GC

RGTH00TK65GC11 Hakkında

ROHM Semiconductor tarafından üretilen RGTH00TK65GC11, 650V kolektör-emiter diyot gerilimi ile tasarlanmış bir Trench Field Stop IGBT transistördür. 35A nominal kolektör akımı ve 200A darbeli akım kapasitesi ile endüstriyel uygulamalarda güç anahtarlama işlevlerini yerine getirir. TO-3PFM paketinde sunulan komponent, -40°C ile 175°C arasında çalışabilir. 94nC gate charge ve 2.1V maksimum Vce(on) değerleri ile motor sürücüleri, inverter devreleri, kaynak cihazları ve endüstriyel güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. 72W maksimum güç yayma kapasitesi ile sürekli çalışma uygulamalarına uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 35 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 200 A
Gate Charge 94 nC
IGBT Type Trench Field Stop
Input Type Standard
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-3PFM, SC-93-3
Part Status Active
Power - Max 72 W
Supplier Device Package TO-3PFM
Td (on/off) @ 25°C 39ns/143ns
Test Condition 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok