Transistörler - IGBT - Tekil
RGTH00TK65DGC11
IGBT
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RGTH00TK65DGC11
RGTH00TK65DGC11 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen RGTH00TK65DGC11, 650V Trench Field Stop IGBT transistörüdür. 35A sürekli kolektör akımı ve 200A pulse akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. Maksimum 72W güç dağıtabilir ve -40°C ile 175°C arasında çalışır. Gate charge 94nC, reverse recovery time 225ns olan bu bileşen, güç dönüştürme, motor sürücü devreleri, kaynak makineleri ve endüstriyel uygulamalarda kullanılır. TO-3PFM through-hole paketinde sunulan komponent, yüksek frekanslı switching operasyonları için uygun tasarımlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 35 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 200 A |
| Gate Charge | 94 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3PFM, SC-93-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 72 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 225 ns |
| Supplier Device Package | TO-3PFM |
| Td (on/off) @ 25°C | 39ns/143ns |
| Test Condition | 400V, 50A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 50A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok