Transistörler - IGBT - Tekil
RGT8TM65DGC9
FIELD STOP TRENCH IGBT
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RGT8TM65DGC9
RGT8TM65DGC9 Hakkında
RGT8TM65DGC9, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 650V Trench Field Stop IGBT transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 5A (darbeli 12A) kolektör akımı ile çalışır. 400V, 4A test koşullarında 2.1V düşük açık durumu voltajı (Vce(on)) sunar. 13.5 nC gate yükü ve 40 ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. -40°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, endüstriyel uygulamalar, motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler ve güç yönetim sistemlerinde kullanılır. 16W maksimum güç disipasyon kapasitesi ile orta güç uygulamalarında yer alır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 5 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 12 A |
| Gate Charge | 13.5 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 16 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 40 ns |
| Supplier Device Package | TO-220NFM |
| Td (on/off) @ 25°C | 17ns/69ns |
| Test Condition | 400V, 4A, 50Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 4A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok