Transistörler - IGBT - Tekil
RGT8NS65DGTL
IGBT 650V 8A 65W TO-263S
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RGT8NS65DGTL
RGT8NS65DGTL Hakkında
RGT8NS65DGTL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 650V Trench Field Stop IGBT transistörüdür. 8A maksimum kolektör akımı ile 65W güç seviyesinde çalışabilen bu bileşen, TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 2.1V Vce(on) düşük iletim gerilimi ve 13.5nC gate charge ile hızlı anahtarlama özelliklerine sahiptir. -40°C ile +175°C çalışma sıcaklık aralığında stabil performans sağlar. İndüktif yükler, motor sürücüler, güç kaynakları ve enerji dönüştürme uygulamalarında kullanıma uygundur. Not For New Designs durumunda olup, yeni tasarımlar için alternatif bileşen seçimi önerilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 8 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 12 A |
| Gate Charge | 13.5 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power - Max | 65 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 40 ns |
| Supplier Device Package | LPDS |
| Td (on/off) @ 25°C | 17ns/69ns |
| Test Condition | 400V, 4A, 50Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 4A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok