Transistörler - IGBT - Tekil
RGT8NS65DGC9
IGBT
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RGT8NS65DGC9
RGT8NS65DGC9 Hakkında
RGT8NS65DGC9, ROHM Semiconductor tarafından üretilen Trench Field Stop tipi IGBT transistörüdür. 650V collector-emitter gerilimi ve 8A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri, güç yönetimi ve endüstriyel denetleyici tasarımlarında tercih edilir. 2.1V Vce(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -40°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. 17ns açılış ve 69ns kapanış gecikmesi ile hızlı anahtarlama sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 8 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 12 A |
| Gate Charge | 13.5 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 65 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 40 ns |
| Supplier Device Package | TO-262 |
| Td (on/off) @ 25°C | 17ns/69ns |
| Test Condition | 400V, 4A, 50Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 4A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok