Transistörler - IGBT - Tekil
RGT8NL65DGTL
FIELD STOP TRENCH IGBT
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RGT8NL65DG
RGT8NL65DGTL Hakkında
RGT8NL65DGTL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 650V/8A kapasiteli Trench Field Stop IGBT transistörüdür. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montajlı paket ile sağlanan bu bileşen, düşük geçiş zamanları (Td on: 17ns, Td off: 69ns) ve hızlı reverse recovery time (40ns) özellikleri ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 2.1V Vce(on) değeri ile verimli çalışan bu IGBT, sürücü devreleri, güç kaynakları, motor kontrol ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Maksimum 65W güç dağılımı ve -40°C ~ 175°C çalışma sıcaklığı aralığı ile geniş uygulama yelpazesine uyumdur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 8 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 12 A |
| Gate Charge | 13.5 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 65 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 40 ns |
| Supplier Device Package | LPDS |
| Td (on/off) @ 25°C | 17ns/69ns |
| Test Condition | 400V, 4A, 50Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 4A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok