Transistörler - IGBT - Tekil
RGT8BM65DTL
IGBT 650V 8A 62W TO-252
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RGT8BM65DTL
RGT8BM65DTL Hakkında
RGT8BM65DTL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 650V Trench Field Stop tipi IGBT transistördür. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu komponentin maksimum kolektör akımı 8A, darbe akımı ise 12A'dir. 62W güç kaybı sınırlaması ile inverter uygulamaları, motor kontrol devreleri ve güç dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır. 13.5nC kapı yükü ve 17/69ns açılış/kapanış gecikme süresi ile hızlı anahtarlama özelliği sağlar. -40°C ile 175°C arasında çalışan bileşen, 400V ve 4A test koşullarında 2.1V Vce(on) değerine sahiptir. Reverse recovery süresi 40ns olan bu IGBT, endüstriyel ve ticari güç elektronik uygulamalarında kullanım için tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 8 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 12 A |
| Gate Charge | 13.5 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power - Max | 62 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 40 ns |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Td (on/off) @ 25°C | 17ns/69ns |
| Test Condition | 400V, 4A, 50Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 4A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok