Transistörler - IGBT - Tekil
RGT80TS65DGC13
5US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RGT80TS65DGC13
RGT80TS65DGC13 Hakkında
ROHM Semiconductor RGT80TS65DGC13, Trench Field Stop teknolojisine dayalı 650V IGBT transistörüdür. 70A sürekli kollektör akımı ve 120A pulse akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarına uygundur. 5 mikrosaniye kısa devre toleransı sayesinde devre koruması sağlar. 234W maksimum güç disipasyonu ile AC/DC dönüştürücüler, motor kontrol sürücüleri ve endüstriyel güç sistemlerinde kullanılır. TO-247-3 paket tipi ile termik yönetim kolaylığı sağlar. -40°C ile 175°C çalışma sıcaklığı aralığında güvenli operasyon garantiler. 2.1V Vce(on) değeri ile düşük iletim kayıpları, 34ns açılış ve 119ns kapanış süreleri hızlı anahtarlama uygulamalarına imkan verir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 70 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 120 A |
| Gate Charge | 79 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 234 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 236 ns |
| Supplier Device Package | TO-247G |
| Td (on/off) @ 25°C | 34ns/119ns |
| Test Condition | 400V, 40A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 40A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok