Transistörler - IGBT - Tekil
RGT60TS65DGC11
IGBT 650V 55A 194W TO-247N
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RGT60TS65
RGT60TS65DGC11 Hakkında
RGT60TS65DGC11, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 650V/55A Trench Field Stop IGBT transistörüdür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, 194W maksimum güç kapasitesi ile çalışmaktadır. 2.1V düşük açık voltajı (Vce(on)) ve 58ns düşük ters kurtarma zamanı (trr) özellikleri ile yüksek verimli güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. Sürücü devresi gereksinimleri minimal olan 58nC gate charge değeri ile tasarlanmıştır. -40°C ~ 175°C sıcaklık aralığında çalışabilir. Endüstriyel motor kontrolü, welding cihazları, UPS sistemleri ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında yaygın olarak tercih edilmektedir. Ürün yeni tasarımlar için önerilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 55 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 90 A |
| Gate Charge | 58 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power - Max | 194 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 58 ns |
| Supplier Device Package | TO-247N |
| Td (on/off) @ 25°C | 29ns/100ns |
| Test Condition | 400V, 30A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 30A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok