Transistörler - IGBT - Tekil
RGT50TS65DGC13
5US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RGT50TS65DG
RGT50TS65DGC13 Hakkında
RGT50TS65DGC13, ROHM Semiconductor tarafından üretilen Trench Field Stop tipi IGBT transistördür. 650V breakdown voltajı ve 48A kollektör akımı ile güç elektronik uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 5µs kısa devre toleransı sayesinde motor kontrolü, inverter, kaynak makineleri ve endüstriyel güç dönüştürme sistemlerinde güvenilir çalışma sağlar. TO-247-3 paketinde sunulan bileşen, -40°C ile +175°C arasında çalışabilir. 49nC gate charge ve 27ns/88ns açılış/kapanış gecikme süreleri ile düşük güç kaybı ve hızlı anahtarlama özelliklerine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 48 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 75 A |
| Gate Charge | 49 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 174 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 58 ns |
| Supplier Device Package | TO-247G |
| Td (on/off) @ 25°C | 27ns/88ns |
| Test Condition | 400V, 25A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 25A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok