Transistörler - IGBT - Tekil
RGT50TS65DGC11
IGBT 650V 48A 174W TO-247N
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RGT50TS65D
RGT50TS65DGC11 Hakkında
RGT50TS65DGC11, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 650V Trench Field Stop IGBT transistörüdür. 48A collector akımı ve 174W maksimum güç dissipasyonu ile tasarlanmıştır. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamalarında yüksek voltaj kontrol gerektiren devrelerde kullanılır. Düşük Vce(on) değeri (2.1V @ 15V, 25A) ve hızlı anahtarlama zamanı (27ns açılış, 88ns kapanış) ile verimli enerji dönüşümü sağlar. Sürücü devrelerinde, AC/DC konverterlerinde, invörtörlerde ve indüktif yük kontrolünde uygulanır. -40°C ile 175°C arasında çalışabilir. NOT: Bu ürün yeni tasarımlar için önerilmemektedir; yerini daha yeni teknolojiler almıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 48 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 75 A |
| Gate Charge | 49 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power - Max | 174 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 58 ns |
| Supplier Device Package | TO-247N |
| Td (on/off) @ 25°C | 27ns/88ns |
| Test Condition | 400V, 25A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 25A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok