Transistörler - IGBT - Tekil
RGT50TM65DGC9
FIELD STOP TRENCH IGBT
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RGT50TM65DGC9
RGT50TM65DGC9 Hakkında
RGT50TM65DGC9, ROHM Semiconductor tarafından üretilen Trench Field Stop IGBT transistördür. 650V maksimum Vce(sat) voltajı ve 21A sürekli kolektör akımı ile çalışan bu bileşen, 47W maksimum güç harcamasına sahiptir. TO-220-3 paket ile sağlanan transistör, -40°C ile +175°C arasında çalışabilir. 49nC gate charge ve 58ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama özelliği sunar. Vce(on) değeri 15V gate geriliminde, 25A akımda 2.1V'tur. Endüstriyel sürücü devreleri, inverterler, motor kontrol uygulamaları ve güç dönüştürme sistemlerinde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 21 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 75 A |
| Gate Charge | 49 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 47 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 58 ns |
| Supplier Device Package | TO-220NFM |
| Td (on/off) @ 25°C | 27ns/88ns |
| Test Condition | 400V, 25A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 25A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok