Transistörler - IGBT - Tekil
RGT50NS65DGTL
IGBT
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RGT50NS65DG
RGT50NS65DGTL Hakkında
RGT50NS65DGTL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen Trench Field Stop tipi IGBT transistördür. 650V Collector-Emitter breakdown voltajı ve 48A sürekli akım kapasitesi ile orta güç uygulamalarına uygundur. Vce(on) 2.1V (15V gate voltajında, 25A akımda) olarak belirtilmiş düşük açık durum kaybı sağlar. 194W maksimum güç dağıtımı ile endüstriyel sürücüler, değiştiriciler (inverter), motor kontrol devreleri ve anahtarlama güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılabilir. TO-263-3 Surface Mount pakette sunulan komponentin çalışma sıcaklık aralığı -40°C ile 175°C arasındadır. 58ns reverse recovery time ve 27ns/88ns (on/off) delay time özellikleri ile hızlı anahtarlama gerektiren uygulamalara uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 48 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 75 A |
| Gate Charge | 49 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 194 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 58 ns |
| Supplier Device Package | LPDS |
| Td (on/off) @ 25°C | 27ns/88ns |
| Test Condition | 400V, 25A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 25A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok