Transistörler - IGBT - Tekil
RGT50NS65DGC9
IGBT
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RGT50NS65DG
RGT50NS65DGC9 Hakkında
RGT50NS65DGC9, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 650V Trench Field Stop teknolojisine sahip bir IGBT transistördür. 48A sürekli ve 75A darbe kollektör akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. TO-262 (I²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamalarında, inverter devreleri, motor kontrolü ve endüstriyel güç dönüştürme sistemlerinde tercih edilir. 49nC gate charge ve 27ns/88ns hızlı kapatma/açma zamanları ile verimli anahtarlama performansı sağlar. -40°C ile 175°C arasında çalışan cihazlarda güvenilir operasyon sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 48 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 75 A |
| Gate Charge | 49 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 194 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 58 ns |
| Supplier Device Package | TO-262 |
| Td (on/off) @ 25°C | 27ns/88ns |
| Test Condition | 400V, 25A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 25A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok