Transistörler - IGBT - Tekil
RGT50NL65DGTL
FIELD STOP TRENCH IGBT
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RGT50NL65DG
RGT50NL65DGTL Hakkında
RGT50NL65DGTL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 650V Trench Field Stop IGBT transistörüdür. 48A maksimum kolektör akımı ve 75A pulsed akım kapasitesi ile tasarlanmıştır. TO-263-3 (D²Pak) paket tipinde sunulan bu komponent, güç elektronik uygulamalarında anahtarlama işlevini gerçekleştirmek için kullanılır. Düşük gate charge (49 nC) ve hızlı komütasyon özellikleri (Td on/off: 27ns/88ns) sayesinde verimli enerji dönüşümü sağlar. -40°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, endüstriyel sürücü, inverter, konvertör ve motor kontrol devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. 2.1V Vce(on) değeri ile düşük iletim kaybı karakteristiği vardır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 48 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 75 A |
| Gate Charge | 49 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 194 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 58 ns |
| Supplier Device Package | LPDS |
| Td (on/off) @ 25°C | 27ns/88ns |
| Test Condition | 400V, 25A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 25A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok