Transistörler - IGBT - Tekil
RGT40NS65DGTL
IGBT 650V 40A 161W TO-263S
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RGT40NS65DG
RGT40NS65DGTL Hakkında
RGT40NS65DGTL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 650V 40A'lık Trench Field Stop IGBT transistörüdür. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, maksimum 161W güç harcaması ile endüstriyel uygulamalarda, motor kontrol devrelerinde, güç kaynakları ve inverter tasarımlarında kullanılır. 2.1V açık durum gerilimi, 40nC kapı yükü ve 58ns ters iyileşme süresi ile hızlı anahtarlama işlemlerine imkan tanır. -40°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir. Yüksek frekanslı anahtarlama uygulamalarında verimli performans sağlar. Not: Bu bileşen yeni tasarımlar için önerilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 40 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 60 A |
| Gate Charge | 40 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power - Max | 161 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 58 ns |
| Supplier Device Package | LPDS |
| Td (on/off) @ 25°C | 22ns/75ns |
| Test Condition | 400V, 20A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 20A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok