Transistörler - IGBT - Tekil
RGT40NS65DGC9
IGBT
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RGT40NS65DGC
RGT40NS65DGC9 Hakkında
RGT40NS65DGC9, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 650V Trench Field Stop IGBT transistörüdür. 40A sürekli kolektör akımı ve 60A darbe akımı kapasitesine sahip olan bu bileşen, yüksek frekanslı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 2.1V Vce(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sunmaktadır. 58ns reverse recovery time ve 22/75ns açılış/kapanış süreleri ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. TO-262-3 paketinde tasarlanan bu IGBT, motor kontrol devreleri, inverterler, AC/DC dönüştürücüler ve endüstriyel güç elektronik uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. -40°C ile 175°C arasında çalışabilmesi, geniş sıcaklık aralığında güvenilir operasyon imkanı tanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 40 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 60 A |
| Gate Charge | 40 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 161 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 58 ns |
| Supplier Device Package | TO-262 |
| Td (on/off) @ 25°C | 22ns/75ns |
| Test Condition | 400V, 20A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 20A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok