Transistörler - IGBT - Tekil
RGT40NL65DGTL
FIELD STOP TRENCH IGBT
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RGT40NL65DG
RGT40NL65DGTL Hakkında
RGT40NL65DGTL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 650V Trench Field Stop IGBT transistördür. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montajlı paket ile sunulan bu bileşen, maximum 40A collector akımı (60A darbe akımı) sağlamaktadır. 2.1V Vce(on) değeri ve 40nC gate charge karakteristiği ile düşük iletim kayıpları sunar. 58ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama performansı gösterir. -40°C ile 175°C arasında çalışan bu transistör, güç dönüştürücüler, motor kontrol uygulamaları, UPS sistemleri ve kaynak cihazlarında kullanılmaktadır. Standart giriş tipi ile entegre devrelerle doğrudan uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 40 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 60 A |
| Gate Charge | 40 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 161 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 58 ns |
| Supplier Device Package | LPDS |
| Td (on/off) @ 25°C | 22ns/75ns |
| Test Condition | 400V, 20A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 20A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok