Transistörler - IGBT - Tekil
RGT30TM65DGC9
FIELD STOP TRENCH IGBT
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RGT30TM65DGC9
RGT30TM65DGC9 Hakkında
RGT30TM65DGC9, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 650V Trench Field Stop IGBT transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu komponent, 14A sabit collector akımı ve 45A pulslu akım kapasitesine sahiptir. Maximum 2.1V Vce(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 32 nC gate charge ile hızlı anahtarlama özelliği gösterir; 18ns açılış ve 64ns kapanış zamanı ile 25°C'de çalışır. 55ns reverse recovery time ile enerji verimliliği artırılmıştır. -40°C ile 175°C arasında stabil çalışan bu transistör, güç dönüştürücüler, inverterler, AC/DC ve DC/DC uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 14 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 45 A |
| Gate Charge | 32 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 32 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 55 ns |
| Supplier Device Package | TO-220NFM |
| Td (on/off) @ 25°C | 18ns/64ns |
| Test Condition | 400V, 15A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 15A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok