Transistörler - IGBT - Tekil
RGT30NS65DGTL
IGBT 650V 30A 133W TO-263S
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RGT30NS65DGTL
RGT30NS65DGTL Hakkında
RGT30NS65DGTL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 650V Trench Field Stop tipi IGBT transistördür. 30A sürekli kolektör akımı ve 45A pulse akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-263S (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 133W maksimum güç dağıtımı kapasitesine sahiptir. Düşük gate charge (32nC) ve hızlı anahtarlama sürelerine (18ns açılış, 64ns kapanış) sahip olup, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, ısıtma uygulamaları ve DC-DC konvertörlerde kullanılabilir. -40°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 30 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 45 A |
| Gate Charge | 32 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power - Max | 133 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 55 ns |
| Supplier Device Package | LPDS |
| Td (on/off) @ 25°C | 18ns/64ns |
| Test Condition | 400V, 15A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 15A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok