Transistörler - IGBT - Tekil
RGT30NS65DGC9
IGBT
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RGT30NS65DGC9
RGT30NS65DGC9 Hakkında
RGT30NS65DGC9, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 650V Trench Field Stop IGBT transistörüdür. 30A sürekli kolektör akımı ve 45A darbe akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 2.1V Vce(on) değeriyle düşük konversiyon kaybı sağlar. 32nC kapı yükü ve 55ns geri kurtarma süresi ile hızlı anahtarlama performansı sunar. -40°C ile 175°C arasında çalışır. Endüstriyel güç dönüştürme uygulamaları, invertörler, motor kontrol devreleri ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 30 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 45 A |
| Gate Charge | 32 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 133 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 55 ns |
| Supplier Device Package | TO-262 |
| Td (on/off) @ 25°C | 18ns/64ns |
| Test Condition | 400V, 15A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 15A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok