Transistörler - IGBT - Tekil
RGT30NL65DGTL
FIELD STOP TRENCH IGBT
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RGT30NL65DG
RGT30NL65DGTL Hakkında
RGT30NL65DGTL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 650V Trench Field Stop IGBT transistörüdür. 30A sürekli kollektör akımı ve 45A pulslu akım kapasitesiyle tasarlanmıştır. TO-263-3 (D²Pak) SMD paketinde sunulan bu bileşen, 133W maksimum güç yönetim yeteneğine sahiptir. 18ns açılış ve 64ns kapanış gecikmesi ile hızlı anahtarlama özellikleri sunar. -40°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığına dayanıklıdır. 55ns reverse recovery time ve 32nC gate charge değerleriyle, güç dönüştürücü uygulamalarında, şarj kontrolörleri, motor sürücüleri ve inverter devrelerde kullanılmaya uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 30 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 45 A |
| Gate Charge | 32 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 133 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 55 ns |
| Supplier Device Package | LPDS |
| Td (on/off) @ 25°C | 18ns/64ns |
| Test Condition | 400V, 15A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 15A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok