Transistörler - IGBT - Tekil
RGT20TM65DGC9
650V 10A FIELD STOP TRENCH IGBT
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RGT20TM65DGC9
RGT20TM65DGC9 Hakkında
RGT20TM65DGC9, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 650V 10A Trench Field Stop IGBT transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç elektronik uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. 2.1V düşük Vce(on) değeri ve 22nC kapı yükü ile verimli çalışma sağlar. Maksimum 25W güç yönetimi kapasitesine sahip olup, 12ns açılış ve 32ns kapanış süresi ile hızlı anahtarlama performansı sunar. -40°C ile 175°C arasında güvenli çalışma sağlayan bu IGBT, invertörler, konvertörler, motor kontrol devreleri ve endüstriyel güç uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 10 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 30 A |
| Gate Charge | 22 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 25 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 42 ns |
| Supplier Device Package | TO-220NFM |
| Td (on/off) @ 25°C | 12ns/32ns |
| Test Condition | 400V, 10A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 10A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok