Transistörler - IGBT - Tekil
RGT20NL65GTL
650V 10A FIELD STOP TRENCH IGBT
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RGT20NL65GTL
RGT20NL65GTL Hakkında
RGT20NL65GTL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 650V 10A Trench Field Stop IGBT transistörüdür. TO-263-3 (D²Pak) SMD paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 20A maksimum kolektör akımı ve 30A pulse akımı kapasitesine sahiptir. 2.1V maksimum doyum gerilimi (VCE(on)) ile enerji kaybı minimize edilir. 22nC kapı yükü ve 12ns/32ns sırasıyla turn-on/turn-off gecikmesi ile hızlı anahtarlama özelliği sağlar. -40°C ile +175°C arasında çalışabilir. Güç kaynakları, motor sürücüleri, enerji çevirici devreleri ve indüktif yük uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 20 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 30 A |
| Gate Charge | 22 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 106 W |
| Supplier Device Package | TO-263AB |
| Td (on/off) @ 25°C | 12ns/32ns |
| Test Condition | 400V, 10A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 10A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok