Transistörler - IGBT - Tekil
RGT16TM65DGC9
FIELD STOP TRENCH IGBT
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RGT16TM65DGC
RGT16TM65DGC9 Hakkında
RGT16TM65DGC9, ROHM Semiconductor tarafından üretilen Field Stop Trench IGBT transistördür. 650V kolektör-emiter açılış gerilimi ve maksimum 9A sürekli kolektör akımı ile tasarlanmıştır. Pulslu koşullarda 24A'e kadar akım taşıyabilir. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, güç elektroniği uygulamalarında anahtarlama işlevleri için kullanılır. 42ns ters kurtarma süresi ve 21nC kapı yükü ile hızlı anahtarlama performansı sunar. -40°C ile 175°C arasında çalışır ve maksimum 22W gücü yönetebilir. Motor kontrolü, invertör, DC-DC dönüştürücü ve endüstriyel güç uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 9 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 24 A |
| Gate Charge | 21 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 22 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 42 ns |
| Supplier Device Package | TO-220NFM |
| Td (on/off) @ 25°C | 13ns/33ns |
| Test Condition | 400V, 8A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 8A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok