Transistörler - IGBT - Tekil
RGT16NS65DGTL
IGBT 650V 16A 94W TO-263S
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RGT16NS65DG
RGT16NS65DGTL Hakkında
RGT16NS65DGTL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 650V/16A IGBT transistördür. Trench Field Stop teknolojisi kullanılarak tasarlanan bu bileşen, maksimum 94W güç tüketimi ile çalışabilir. TO-263S (D²Pak) yüzey montajlı paketinde sunulan transistör, anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 2.1V on-state voltajı ve 21nC gate charge değerleri ile düşük kayıp anahtarlamayı sağlar. -40°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Endüstriyel uygulamalar, güç kaynakları ve motor kontrol devrelerinde tercih edilir. Not For New Designs statüsüne sahip olan bu parça, mevcut tasarımlar için stok amaçlı kullanılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 16 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 24 A |
| Gate Charge | 21 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power - Max | 94 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 42 ns |
| Supplier Device Package | LPDS |
| Td (on/off) @ 25°C | 13ns/33ns |
| Test Condition | 400V, 8A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 8A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok