Transistörler - IGBT - Tekil
RGT16NS65DGC9
IGBT
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RGT16NS65DGC9
RGT16NS65DGC9 Hakkında
RGT16NS65DGC9, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 650V Trench Field Stop IGBT transistörüdür. 16A maksimum kollektör akımı ve 24A impulsif akımı ile tasarlanmıştır. TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürme uygulamalarında, anahtarlama devreleri ve motor kontrol sistemlerinde kullanılır. 400V/8A test koşullarında 2.1V açık durum gerilimi ve 13ns/33ns açılış/kapanış gecikmesi ile verimli komütasyon özelliği sağlar. -40°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında endüstriyel ve ticari uygulamalara uygun olup, 94W maksimum güç seviyesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 16 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 24 A |
| Gate Charge | 21 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 94 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 42 ns |
| Supplier Device Package | TO-262 |
| Td (on/off) @ 25°C | 13ns/33ns |
| Test Condition | 400V, 8A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 8A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok