Transistörler - IGBT - Tekil
RGT16NL65DGTL
FIELD STOP TRENCH IGBT
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RGT16NL65DGTL
RGT16NL65DGTL Hakkında
RGT16NL65DGTL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 650V Trench Field Stop IGBT transistörüdür. 16A sabit akım ve 24A pulse akım kapasitesi ile tasarlanmıştır. TO-263 D²Pak yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, güç dönüştürme uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. 2.1V Vce(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 21 nC gate charge ve 13ns açılış/33ns kapanış süresi ile hızlı komütasyon performansı gösterir. -40°C ile 175°C arasında çalışan bu transistör, endüstriyel invertör, motor kontrol, kaynak ve enerji dönüştürme sistemlerinde tercih edilir. Maksimum 94W güç tüketimine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 16 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 24 A |
| Gate Charge | 21 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 94 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 42 ns |
| Supplier Device Package | LPDS |
| Td (on/off) @ 25°C | 13ns/33ns |
| Test Condition | 400V, 8A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 8A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok