Transistörler - IGBT - Tekil

RGT16BM65DTL

IGBT

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
RGT16BM65DTL

RGT16BM65DTL Hakkında

RGT16BM65DTL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 650V Trench Field Stop IGBT transistörüdür. Maksimum 16A DC ve 24A puls collector akımı kapasitesine sahiptir. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 400V/8A test koşullarında 2.1V Vce(on) değeriyle çalışır. -40°C ile +175°C arasında güvenilir operasyon sağlar. 21nC gate charge ve 13ns açılış/33ns kapanış zamanları ile hızlı anahtarlama özelliği gösterir. 42ns reverse recovery time ile düşük anahtarlama kayıpları elde edilir. Güç elektroniği uygulamalarında, motor sürücüleri, değiştirici devreleri ve UPS sistemlerinde kullanıma uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 16 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 24 A
Gate Charge 21 nC
IGBT Type Trench Field Stop
Input Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power - Max 94 W
Reverse Recovery Time (trr) 42 ns
Supplier Device Package TO-252
Td (on/off) @ 25°C 13ns/33ns
Test Condition 400V, 8A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 8A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok