Transistörler - IGBT - Tekil
RGT00TS65DGC13
5US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RGT00TS65DGC13
RGT00TS65DGC13 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen RGT00TS65DGC13, 650V Trench Field Stop IGBT transistörüdür. 85A maksimum kolektör akımı ve 277W güç yönetim kapasitesi ile endüstriyel uygulamalarda kullanılır. 5µs kısa devre toleransı sayesinde güvenli anahtarlama özellikleri sunar. TO-247-3 kasa türü ile Through Hole montajı destekler. -40°C ile 175°C arasında çalışan bileşen, 650V breakdown voltajı ile yüksek gerilim uygulamalarında tercih edilir. Anahtarlama hızı (Td on/off) 42ns/137ns olup, fotovoltaik, endüstriyel motor kontrolleri ve güç dönüştürücülerde yaygın olarak yer alır. VCE(on) değeri 15V gate geriliminde 50A'de 2.1V'tur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 85 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 150 A |
| Gate Charge | 94 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 277 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 54 ns |
| Supplier Device Package | TO-247G |
| Td (on/off) @ 25°C | 42ns/137ns |
| Test Condition | 400V, 50A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 50A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok