Transistörler - IGBT - Tekil
RGSX5TS65EHRC11
8S SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650V
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RGSX5TS65EH
RGSX5TS65EHRC11 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen RGSX5TS65EHRC11, 650V kollektör-emitter gerilimi ile tasarlanmış Trench Field Stop IGBT transistörüdür. Maksimum 114A sürekli kolektör akımı ve 225A darbe akımı kapasitesi ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. 8 saniyelik kısa devre toleransı sayesinde güvenli çalışma sağlar. TO-247-3 paketinde sunulan bileşen, 400V/75A test koşullarında 2.15V Vce(on) değerine sahiptir. -40°C ile 175°C arasında güvenilir performans sunan bu IGBT, inverter, motor sürücü, kaynak makinesi ve endüstriyel güç dönüştürme sistemlerinde yaygın olarak uygulanmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 114 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 225 A |
| Gate Charge | 79 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 404 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 116 ns |
| Supplier Device Package | TO-247N |
| Switching Energy | 3.44mJ (on), 1.9mJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 43ns/113ns |
| Test Condition | 400V, 75A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.15V @ 15V, 75A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok