Transistörler - IGBT - Tekil
RGSX5TS65EGC11
8S SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650V
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RGSX5TS65EGC
RGSX5TS65EGC11 Hakkında
RGSX5TS65EGC11, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 650V/114A Trench Field Stop IGBT transistördür. TO-247-3 paket ile sunulan bu bileşen, kısa devre toleransı (8S) özelliğine sahiptir. Maksimum 404W güç yönetimi kapasitesi ile endüstriyel anahtarlama uygulamalarında, güç dönüştürme devrelerinde, motor kontrolü ve UPS sistemlerinde kullanılır. 79nC gate charge ve 116ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama karakteristiği sağlar. -40°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 114 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 225 A |
| Gate Charge | 79 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 404 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 116 ns |
| Supplier Device Package | TO-247N |
| Switching Energy | 3.44mJ (on), 1.9mJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 43ns/113ns |
| Test Condition | 400V, 75A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.15V @ 15V, 75A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok