Transistörler - IGBT - Tekil
RGS80TSX2GC11
10US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 12
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RGS80TSX2GC
RGS80TSX2GC11 Hakkında
RGS80TSX2GC11, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 1200V/80A Trench Field Stop tipi IGBT transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, 10µs kısa devre toleransı ve 555W maksimum güç dağıtımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 104nC gate charge ve düşük switching energy karakteristiğiyle (3mJ on, 3.1mJ off) yüksek frekanslı güç elektronik uygulamalarında verimli çalışır. 2.1V Vce(on) değeri ile enerji kayıpları minimize edilir. -40°C ile 175°C arasındaki çalışma sıcaklık aralığında, endüstriyel sürücü devreleri, güç kaynakları, inverter ve motor kontrol sistemlerinde kullanılmaya uygundur. 49ns açılış ve 199ns kapanış gecikmesi hızlı komütasyon sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 80 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 120 A |
| Gate Charge | 104 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 555 W |
| Supplier Device Package | TO-247N |
| Switching Energy | 3mJ (on), 3.1mJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 49ns/199ns |
| Test Condition | 600V, 40A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 40A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok