Transistörler - IGBT - Tekil
RGS80TSX2DHRC11
1200V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RGS80TSX2DHRC11
RGS80TSX2DHRC11 Hakkında
RGS80TSX2DHRC11, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 1200V 80A Trench Field Stop IGBT transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Maksimum 555W güç kapasitesine sahip olan transistör, 40A nominal akımda 2.1V Vce(on) değerine ve 198ns ters kurtarma süresine sahiptir. İşletme sıcaklık aralığı -40°C ile 175°C arasında değişmektedir. Düşük anahtarlama enerjileri (açma 3mJ, kapama 3.1mJ) sayesinde enerji kaybını minimize eder. Güç kaynakları, motor kontrol sürücüleri, kaynak makineleri ve endüstriyel inverter uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 80 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 120 A |
| Gate Charge | 104 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 555 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 198 ns |
| Supplier Device Package | TO-247N |
| Switching Energy | 3mJ (on), 3.1mJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 49ns/199ns |
| Test Condition | 600V, 40A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 40A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok