Transistörler - IGBT - Tekil
RGS60TS65DHRC11
650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT.
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RGS60TS65DHRC11
RGS60TS65DHRC11 Hakkında
RGS60TS65DHRC11, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 650V 30A Trench Field Stop IGBT transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç elektronik uygulamalarında anahtar görevi üstlenir. Maksimum 56A sürekli kolektör akımı ve 90A darbe akımı kapasitesine sahiptir. 36nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama özelliği gösterir. Vce(on) değeri 15V gate gerilimi ve 30A akımda 2.1V'tur. 660µJ (on) ve 810µJ (off) anahtarlama enerjileri ile verimli işletme sağlar. -40°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, inverter devreleri, motor sürücüleri, güç kaynakları ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 223W maksimum güç dağıtma kapasitesiyle tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 56 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 90 A |
| Gate Charge | 36 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 223 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 103 ns |
| Supplier Device Package | TO-247N |
| Switching Energy | 660µJ (on), 810µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 28ns/104ns |
| Test Condition | 400V, 30A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 30A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok