Transistörler - IGBT - Tekil
RGS50TSX2GC11
10US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 12
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RGS50TSX2GC
RGS50TSX2GC11 Hakkında
RGS50TSX2GC11, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 1200V/50A Trench Field Stop IGBT transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, 10µs kısa devre toleransı ile tasarlanmıştır. 67 nC gate charge ve 2.1V Vce(on) değerleriyle düşük kayıp uygulamalar için uygundur. Maksimum 395W güç dağıtabilir ve -40°C ile 175°C arasında çalışabilir. Switching energy değerleri sırasıyla 1.4mJ (on) ve 1.65mJ (off) olup, 37ns on-delay ve 140ns off-delay karakteristikleri hızlı anahtarlama gerektiren uygulamalarda tercih edilir. Endüstriyel sürücü, güç dönüştürücü ve UPS sistemlerinde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 75 A |
| Gate Charge | 67 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 395 W |
| Supplier Device Package | TO-247N |
| Switching Energy | 1.4mJ (on), 1.65mJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 37ns/140ns |
| Test Condition | 600V, 25A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 25A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok