Transistörler - IGBT - Tekil
RGS00TS65DHRC11
ROHM'S IGBT PRODUCTS WILL CONTRI
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RGS00TS65DHRC11
RGS00TS65DHRC11 Hakkında
ROHM Semiconductor RGS00TS65DHRC11, 650V maksimum Vce(sat) ile çalışan Trench Field Stop tipi IGBT transistördür. 88A sürekli kolektor akımı ve 150A darbe akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 58nC gate charge ve 36ns/115ns açılış/kapanış gecikme süreleriyle hızlı anahtarlama özelliği sunar. 2.1V @ 15V, 50A test koşullarında düşük doyum gerilimi sayesinde düşük güç kaybı sağlar. TO-247-3 paketinde sunulan komponent, -40°C ~ 175°C çalışma sıcaklık aralığında endüstriyel uygulamalar, güç kaynakları, motor kontrol ve UPS sistemlerinde tercih edilir. 326W maksimum güç dissipasyonu kapasitesi ile yüksek yoğunluklu anahtarlama devreleri için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 88 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 150 A |
| Gate Charge | 58 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 326 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 103 ns |
| Supplier Device Package | TO-247N |
| Switching Energy | 1.46mJ (on), 1.29mJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 36ns/115ns |
| Test Condition | 400V, 50A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 50A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok