Transistörler - IGBT - Tekil
RGPZ10BM40FHTL
IGBT
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RGPZ10BM40F
RGPZ10BM40FHTL Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen RGPZ10BM40FHTL, standart input türünde bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. Surface mount TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu komponent, maksimum 20A collector akımı ve 460V collector-emitter breakdown voltajı ile çalışır. 2.0V Vce(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 14 nC gate charge ve 500ns/4µs açılış/kapanış süreleri ile hızlı komütasyon yapabilir. -40°C ile 175°C arasında çalışan bu transistör, güç uygulamalarında ve motor sürücülerinde kullanılır. Maksimum 107W güç disipasyonu kapasitesine sahiptir. Komponent eski tasarımlar için üretilmekte olup yeni tasarımlarda kullanımı önerilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 20 A |
| Gate Charge | 14 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power - Max | 107 W |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Td (on/off) @ 25°C | 500ns/4µs |
| Test Condition | 300V, 8A, 100Ohm, 5V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.0V @ 5V, 10A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 460 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok