Transistörler - IGBT - Tekil

RGPR30BM40HRTL

400V 30A IGNITION IGBT

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
RGPR30BM40

RGPR30BM40HRTL Hakkında

RGPR30BM40HRTL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 400V 30A kapasiteli Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) entegre devredir. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamalarında yüksek voltaj kontrolü gerektiren elektrik motorları, değişen akım kaynakları (inverter) ve güç yönetimi sistemlerinde kullanılır. 125W maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile 2.0V tipik Vce(on) değerine sahiptir. -40°C ile 175°C arasında çalışan bu transistör, hızlı anahtarlama performansı (500ns açılış, 4µs kapanış) sağlar. Part Status 'Not For New Designs' olarak belirlenmiştir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 30 A
Gate Charge 22 nC
Input Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Not For New Designs
Power - Max 125 W
Supplier Device Package TO-252
Td (on/off) @ 25°C 500ns/4µs
Test Condition 300V, 8A, 100Ohm, 5V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.0V @ 5V, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 430 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok