Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
RGL41MHE3_A/I
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- DO-213AB
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RGL41MHE3
RGL41MHE3_A/I Hakkında
RGL41MHE3_A/I, Vishay tarafından üretilen 1000V ters gerilim dayanımına sahip 1A ortalama doğrultma akımı kapasitesine sahip hızlı iyileşmeli standart diyottur. DO-213AB MELF (Glass) yüzeye monte paketi ile sunulan bu bileşen, 500ns'lik ters iyileşme süresi ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 1.3V ileri gerilim düşüşü ve 5µA ters sızıntı akımı özellikleri ile güç kaynağı entegrasyonu, AC/DC dönüştürücüler, anahtarmalı güç kaynakları ve endüstriyel kontrol devrelerinde yaygın olarak uygulanır. -65°C ile 175°C arasındaki çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 1000 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -65°C ~ 175°C |
| Package / Case | DO-213AB, MELF (Glass) |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 500 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | DO-213AB |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3 V @ 1 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok