Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
RFN5BGE3STL
SUPER FAST RECOVERY DIODE
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RFN5BGE3STL
RFN5BGE3STL Hakkında
RFN5BGE3STL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen bir super fast recovery diyotudur. TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketi ile sunulan bu bileşen, 5A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesine ve maksimum 350V ters voltaj değerine sahiptir. 30 nanosaniye reverse recovery time'ı ile hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. Maksimum 1.5V forward voltage düşüşü ile enerji verimliliği sunar. 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilen bu diyot, güç kaynakları, invertörler, motor kontrol devreleri ve güç faktörü korreksiyonu uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 5A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 350 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | 150°C (Max) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 30 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 350 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.5 V @ 5 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok